casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS1H9HE3_B/H
Número da peça de fabricante | SS1H9HE3_B/H |
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Número da peça futura | FT-SS1H9HE3_B/H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
SS1H9HE3_B/H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 90V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMA (DO-214AC) |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H9HE3_B/H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS1H9HE3_B/H-FT |
JANTXV1N3600
Microsemi Corporation
JANTXV1N4942
Microsemi Corporation
JANTXV1N4944
Microsemi Corporation
JANTXV1N4946
Microsemi Corporation
JANTXV1N5186
Microsemi Corporation
JANTXV1N5415
Microsemi Corporation
JANTXV1N5416US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5417US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5418US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5420US
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel