casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JANTXV1N5417US
Número da peça de fabricante | JANTXV1N5417US |
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Número da peça futura | FT-JANTXV1N5417US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JANTXV1N5417US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, B |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5B |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5417US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV1N5417US-FT |
SK1510-TP
Micro Commercial Co
SK15H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK20H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SMD15PL-TP
Micro Commercial Co
SR1502 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54AW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54CW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54SW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel