casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR414DP-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIR414DP-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIR414DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIR414DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR414DP-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIR414DP-T1-GE3-FT |
SI7382DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7384DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7384DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7386DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7386DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7388DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7388DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7390DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7392ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7392ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel