casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQM120N04-1M7L_GE3
Número da peça de fabricante | SQM120N04-1M7L_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQM120N04-1M7L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SQM120N04-1M7L_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14606pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM120N04-1M7L_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQM120N04-1M7L_GE3-FT |
IRFS3307ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
IRFS4115TRLPBF
Infineon Technologies
IRL1404ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB019N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel