casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB120N04S402ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB120N04S402ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB120N04S402ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB120N04S402ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10740pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 158W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120N04S402ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB120N04S402ATMA1-FT |
BUK7C5R4-100EJ
NXP USA Inc.
BUK9C1R3-40EJ
NXP USA Inc.
BUK9C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK9C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK9C5R3-100EJ
NXP USA Inc.
IRF1324S-7PPBF
Infineon Technologies
IRF1324STRL-7PP
Infineon Technologies
IRF1405ZS-7P
Infineon Technologies
IRF1405ZSTRL-7P
Infineon Technologies
IRF1405ZSTRL7PP
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel