casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQD35N05-26L-GE3
Número da peça de fabricante | SQD35N05-26L-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQD35N05-26L-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SQD35N05-26L-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1175pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD35N05-26L-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQD35N05-26L-GE3-FT |
SQJA84EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA88EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA90EP-T1_GE3
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SQJA92EP-T1_GE3
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SQJA94EP-T1_GE3
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SQJA96EP-T1_GE3
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SI8483DB-T2-E1
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SI8497DB-T2-E1
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SI8406DB-T2-E1
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SI3447CDV-T1-E3
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A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel