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Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1

Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R080G7XTMA1
Price: 2.976576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (670 reviews)

Número da peça MFG: IPT60R080G7XTMA1

Quantidade disponível: 25440 Peças

Preço de referência: USD 2.976576

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ G7 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPT60R080G7XTMA1.pdf

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IPT60R080G7XTMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPT60R080G7XTMA1
Número da peça futura	FT-IPT60R080G7XTMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™ G7
IPT60R080G7XTMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1640pF @ 400V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	167W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-HSOF-8-2
Pacote / caso	8-PowerSFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT60R080G7XTMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPT60R080G7XTMA1-FT

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