casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPT60R080G7XTMA1
Número da peça de fabricante | IPT60R080G7XTMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPT60R080G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ G7 |
IPT60R080G7XTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 167W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-HSOF-8-2 |
Pacote / caso | 8-PowerSFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPT60R080G7XTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPT60R080G7XTMA1-FT |
IPS050N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS05N03LA G
Infineon Technologies
IPS05N03LB G
Infineon Technologies
IPS060N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS06N03LA G
Infineon Technologies
IPS06N03LZ G
Infineon Technologies
IPS075N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS090N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS09N03LA G
Infineon Technologies
IPS09N03LB G
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel