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Infineon Technologies SPB80P06PGATMA1

Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1
Price: 1.53988 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (696 reviews)

Número da peça MFG: SPB80P06PGATMA1

Quantidade disponível: 90080 Peças

Preço de referência: USD 1.53988

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SPB80P06PGATMA1.pdf

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SPB80P06PGATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	SPB80P06PGATMA1
Número da peça futura	FT-SPB80P06PGATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SIPMOS®
SPB80P06PGATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 5.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	173nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5033pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	340W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO263-3-2
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB80P06PGATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SPB80P06PGATMA1-FT

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