casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTA130N10T7
Número da peça de fabricante | IXTA130N10T7 |
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Número da peça futura | FT-IXTA130N10T7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMV™ |
IXTA130N10T7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5080pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 360W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (IXTA) |
Pacote / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA130N10T7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXTA130N10T7-FT |
PMN22XN,115
NXP USA Inc.
PMN230ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN23UN,135
NXP USA Inc.
PMN23UN,165
NXP USA Inc.
PMN25EN,115
NXP USA Inc.
PMN25ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN25UN,115
NXP USA Inc.
PMN27UN,135
NXP USA Inc.
PMN27UP,115
Nexperia USA Inc.
PMN27UPH
Nexperia USA Inc.
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel