casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / SM8S36HE3/2D
Número da peça de fabricante | SM8S36HE3/2D |
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Número da peça futura | FT-SM8S36HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S36HE3/2D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 1 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 36V |
Tensão - Breakdown (Min) | 40V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 64.3V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 103A |
Potência - Pulso de Pico | 6600W (6.6kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | Automotive |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-218AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-218AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S36HE3/2D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SM8S36HE3/2D-FT |
SM8S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-4FG456C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG256
Microsemi Corporation
MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2N
Intel
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation