casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / SM8S10HE3/2E
Número da peça de fabricante | SM8S10HE3/2E |
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Número da peça futura | FT-SM8S10HE3/2E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S10HE3/2E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 1 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 10V |
Tensão - Breakdown (Min) | 11.1V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 18.8V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 351A |
Potência - Pulso de Pico | 6600W (6.6kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | Automotive |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-218AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-218AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S10HE3/2E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SM8S10HE3/2E-FT |
SM5S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3042-100PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S600E-6FG456Q
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I3
Intel
XC5VSX240T-1FF1738CES
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C7F23C8N
Intel
10AX115S2F45E1SG
Intel
EP3SE110F780C4L
Intel