casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / SM8S36-E3/2D
Número da peça de fabricante | SM8S36-E3/2D |
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Número da peça futura | FT-SM8S36-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PAR® |
SM8S36-E3/2D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 1 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 36V |
Tensão - Breakdown (Min) | 40V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 64.3V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 103A |
Potência - Pulso de Pico | 6600W (6.6kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-218AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-218AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S36-E3/2D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SM8S36-E3/2D-FT |
SM6S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel