casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / SM8S15-E3/2D
Número da peça de fabricante | SM8S15-E3/2D |
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Número da peça futura | FT-SM8S15-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PAR® |
SM8S15-E3/2D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 1 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 15V |
Tensão - Breakdown (Min) | 16.7V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 26.9V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 245A |
Potência - Pulso de Pico | 6600W (6.6kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-218AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-218AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S15-E3/2D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SM8S15-E3/2D-FT |
SM6S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S12A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel