casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / SM6S10HE3/2D
Número da peça de fabricante | SM6S10HE3/2D |
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Número da peça futura | FT-SM6S10HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S10HE3/2D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | 1 |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 10V |
Tensão - Breakdown (Min) | 11.1V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 18.8V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 245A |
Potência - Pulso de Pico | 4600W (4.6kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | Automotive |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-218AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-218AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S10HE3/2D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SM6S10HE3/2D-FT |
TPSMP9.1HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7N
Intel
EP3SL70F484C4LN
Intel
5SGXEA7N2F45I2N
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35C1N
Intel
XC4VFX40-11FFG1152I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF29C6NES
Intel
EPF10K100EBC356-1
Intel