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Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3

Name: SIZF920DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZF920DT-T1-GE3
Price: 0.727056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (605 reviews)

Número da peça MFG: SIZF920DT-T1-GE3

Quantidade disponível: 60440 Peças

Preço de referência: USD 0.727056

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® Gen IV MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SIZF920DT-T1-GE3.pdf

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SIZF920DT-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SIZF920DT-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SIZF920DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET® Gen IV
SIZF920DT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Potência - Max	3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PowerPair® (6x5)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZF920DT-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SIZF920DT-T1-GE3-FT

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