casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI5933CDC-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI5933CDC-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI5933CDC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI5933CDC-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 276pF @ 10V |
Potência - Max | 2.8W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206-8 ChipFET™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5933CDC-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI5933CDC-T1-GE3-FT |
SI7940DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7940DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7942DP-T1-E3
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SI7942DP-T1-GE3
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SI7945DP-T1-GE3
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A54SX08A-FTQ144
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M2GL010TS-VFG256I
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10M08DCF256A7G
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EP3C16F256C6
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10AX032H2F35E2LG
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A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SG
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EPF10K200SBC356-1
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10M02DCV36C7G
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