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Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3

Número da peça MFG
SIZF906ADT-T1-GE3
Quantidade disponível
64120 Peças
Preço de referência
USD 0.611128
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® Gen IV MOSFET DUAL N-CHAN 30V
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SIZF906ADT-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SIZF906ADT-T1-GE3
Número da peça futura FT-SIZF906ADT-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET® Gen IV
SIZF906ADT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Recurso FET Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potência - Max 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-PowerPair® (6x5)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZF906ADT-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SIZF906ADT-T1-GE3-FT

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