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Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3

Name: SIZ998DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ998DT-T1-GE3
Price: 0.54824 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (421 reviews)

Número da peça MFG: SIZ998DT-T1-GE3

Quantidade disponível: 39300 Peças

Preço de referência: USD 0.54824

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SIZ998DT-T1-GE3.pdf

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SIZ998DT-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SIZ998DT-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SIZ998DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SIZ998DT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Potência - Max	20.2W, 32.9W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PowerPair®
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ998DT-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SIZ998DT-T1-GE3-FT

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