casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SIZ920DT-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIZ920DT-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIZ920DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIZ920DT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 15V |
Potência - Max | 39W, 100W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-PowerWDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PowerPair® (6x5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ920DT-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIZ920DT-T1-GE3-FT |
SI5933CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5933DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5935CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5935DC-T1-GE3
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SI5975DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5975DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
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SQ3987EV-T1_GE3
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SI3552DV-T1-GE3
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SQ3985EV-T1_GE3
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XC3S1400AN-4FGG676I
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XC2S30-6VQ100C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
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AX125-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C3
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation