casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SISH625DN-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SISH625DN-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SISH625DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SISH625DN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17.3A (Ta), 35A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4427pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 1212-8SH |
Pacote / caso | PowerPAK® 1212-8SH |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISH625DN-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SISH625DN-T1-GE3-FT |
SI3445DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3445DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3446ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3446ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3447BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3447BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3447CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3451DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3451DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3454ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
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A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
Intel