casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3451DV-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI3451DV-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI3451DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3451DV-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3451DV-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3451DV-T1-GE3-FT |
SI5441DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5441DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5445BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5445BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5447DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5449DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5449DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5461EDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5461EDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5463EDC-T1-E3
Vishay Siliconix