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Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3

Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS932EDN-T1-GE3
Price: 0.20476 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (521 reviews)

Número da peça MFG: SIS932EDN-T1-GE3

Quantidade disponível: 29720 Peças

Preço de referência: USD 0.20476

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SIS932EDN-T1-GE3.pdf

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SIS932EDN-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SIS932EDN-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SIS932EDN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SIS932EDN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Potência - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® 1212-8 Dual
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS932EDN-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SIS932EDN-T1-GE3-FT

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