casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SIA777EDJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA777EDJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA777EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA777EDJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V, 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A, 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 5W, 7.8W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA777EDJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA777EDJ-T1-GE3-FT |
SP8K1TB
Rohm Semiconductor
SP8K22FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K24FU6TB
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SP8K3FU6TB
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SP8K5TB
Rohm Semiconductor
EP1C6T144C6
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M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
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10CX220YU484E6G
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EP4CE22E22C7
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5SGSMD8N3F45I4N
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XCKU035-L1SFVA784I
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LFEC3E-3QN208C
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
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EP1K100QC208-1N
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