casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3460DDV-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI3460DDV-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI3460DDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3460DDV-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 666pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3460DDV-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3460DDV-T1-GE3-FT |
SI5475DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5499DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5499DC-T1-GE3
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SI5855CDC-T1-E3
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SI5913DC-T1-GE3
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LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel