casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHP240N60E-GE3
Número da peça de fabricante | SIHP240N60E-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIHP240N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | E |
SIHP240N60E-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 795pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 78W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP240N60E-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHP240N60E-GE3-FT |
SI3867DV-T1-GE3
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SI3879DV-T1-E3
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