casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3879DV-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI3879DV-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI3879DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LITTLE FOOT® |
SI3879DV-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3879DV-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3879DV-T1-GE3-FT |
SI3424BDV-T1-GE3
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AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel