casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHH14N65E-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIHH14N65E-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIHH14N65E-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SIHH14N65E-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1712pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 156W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHH14N65E-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHH14N65E-T1-GE3-FT |
SI3446ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3447BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3447BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3447CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3451DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3451DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3454ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3454ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3454CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3454CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix