casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHG40N60E-GE3
Número da peça de fabricante | SIHG40N60E-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIHG40N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | E |
SIHG40N60E-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4436pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 329W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AC |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG40N60E-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHG40N60E-GE3-FT |
SUD23N06-31-GE3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31-T4-GE3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31L-E3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD25N04-25-E3
Vishay Siliconix
SUD25N04-25-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD35N05-26L-E3
Vishay Siliconix
SUD40N02-08-E3
Vishay Siliconix
SUD40N02-3M3P-E3
Vishay Siliconix
SUD40N04-10A-E3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel