casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD40N02-08-E3
Número da peça de fabricante | SUD40N02-08-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SUD40N02-08-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUD40N02-08-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 8.3W (Ta), 71W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD40N02-08-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUD40N02-08-E3-FT |
SI8439DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8469DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8487DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8489EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8812DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8802DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8810EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8817DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8823EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel