casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIE806DF-T1-E3
Número da peça de fabricante | SIE806DF-T1-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIE806DF-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIE806DF-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 10-PolarPAK® (L) |
Pacote / caso | 10-PolarPAK® (L) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE806DF-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIE806DF-T1-E3-FT |
SIA813DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA811DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA811DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA814DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA850DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHS20N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHS90N65E-E3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel