casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA472EDJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA472EDJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA472EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA472EDJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1265pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 19.2W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA472EDJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA472EDJ-T1-GE3-FT |
PMV130ENEA/DG/B2R
Nexperia USA Inc.
PMV160UPVL
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV48XPVL
Nexperia USA Inc.
PMV50UPEVL
Nexperia USA Inc.
PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.
PMZ420UNYL
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN018-100ESFQ
Nexperia USA Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel