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Nexperia USA Inc. PMV130ENEA/DG/B2R

Name: PMV130ENEA/DG/B2R
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMV130ENEA/DG/B2R
Availability: InStock
Rating: 4.8 (601 reviews)

Número da peça MFG: PMV130ENEA/DG/B2R

Quantidade disponível: 83340 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Nexperia USA Inc.

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PMV130ENEA/DG/B2R.pdf

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PMV130ENEA/DG/B2R Especificações

Número da peça de fabricante	PMV130ENEA/DG/B2R
Número da peça futura	FT-PMV130ENEA/DG/B2R
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
PMV130ENEA/DG/B2R Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	3.6nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-236AB
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMV130ENEA/DG/B2R Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PMV130ENEA/DG/B2R-FT

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