casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA459EDJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA459EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIA459EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA459EDJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 885pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
Temperatura de operação | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA459EDJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA459EDJ-T1-GE3-FT |
SI4850BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850EY-T1
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4866BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4866BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4876DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4876DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel