casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4850EY-T1
Número da peça de fabricante | SI4850EY-T1 |
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Número da peça futura | FT-SI4850EY-T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4850EY-T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.7W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4850EY-T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4850EY-T1-FT |
SI4404DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4406DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4406DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4409DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4409DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4410BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4410BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4411DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4411DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4412ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel