casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA446DJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA446DJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA446DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ThunderFET® |
SIA446DJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 177 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA446DJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA446DJ-T1-GE3-FT |
TPC8021-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8022-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8026(TE12L,Q,M)
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TPC8031-H(TE12LQM)
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TPC8032-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8033-H(TE12LQM)
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TPC8035-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8036-H(TE12L,QM
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TPC8038-H(TE12L,Q)
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TPC8042(TE12L,Q,M)
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A3PE600-1FG256I
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A3P1000-2PQ208
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EP3CLS200F780I7
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