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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8022-H(TE12LQ,M

Name: TPC8022-H(TE12LQ,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8022-H(TE12LQ,M
Availability: InStock
Rating: 4.5 (211 reviews)

Número da peça MFG: TPC8022-H(TE12LQ,M

Quantidade disponível: 29470 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPC8022-H(TE12LQ,M.pdf

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TPC8022-H(TE12LQ,M Especificações

Número da peça de fabricante	TPC8022-H(TE12LQ,M
Número da peça futura	FT-TPC8022-H(TE12LQ,M
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TPC8022-H(TE12LQ,M Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8022-H(TE12LQ,M Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPC8022-H(TE12LQ,M-FT

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