casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI5499DC-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI5499DC-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI5499DC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI5499DC-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 8V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 4V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206-8 ChipFET™ |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5499DC-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI5499DC-T1-GE3-FT |
SI1065X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1069X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1069X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1070X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1071X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1071X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1072X-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation