casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI4966DY-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI4966DY-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI4966DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4966DY-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4966DY-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4966DY-T1-GE3-FT |
SI4214DDY-T1-GE3
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SI4214DY-T1-GE3
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