casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI4214DDY-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI4214DDY-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI4214DDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4214DDY-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Potência - Max | 3.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4214DDY-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4214DDY-T1-GE3-FT |
PMWD26UN,518
NXP USA Inc.
PMWD30UN,518
NXP USA Inc.
STC5DNF30V
STMicroelectronics
STC5NF20V
STMicroelectronics
STC5NF30V
STMicroelectronics
STC6NF30V
STMicroelectronics
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SP8K2TB
Rohm Semiconductor
SI4931DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN030V2-ZUCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EPF10K200SFC672-2
Intel
EP3C5F256C7N
Intel
5SGXMA5N3F40C2N
Intel
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7N
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel