casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI3993CDV-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI3993CDV-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI3993CDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3993CDV-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 15V |
Potência - Max | 1.4W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3993CDV-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3993CDV-T1-GE3-FT |
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Xilinx Inc.
EP4CGX110DF27C8
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DAU324C8G
Intel
EP3SE80F780C2N
Intel
EP20K400CB652I8ES
Intel