casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI3981DV-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI3981DV-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI3981DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3981DV-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 800mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3981DV-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3981DV-T1-E3-FT |
SI5947DU-T1-GE3
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M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGXMB9R3H43I4N
Intel
LFE2-50SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
10AX057K2F35I2LG
Intel