casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3442BDV-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI3442BDV-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI3442BDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3442BDV-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 860mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3442BDV-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3442BDV-T1-GE3-FT |
SI1330EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1300BDL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1300BDL-T1-GE3
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SI1303DL-T1-E3
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SI1304BDL-T1-E3
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SI1304BDL-T1-GE3
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SI1305DL-T1-E3
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SI1305DL-T1-GE3
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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