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Vishay Siliconix SI3585DV-T1-GE3

Número da peça MFG
SI3585DV-T1-GE3
Quantidade disponível
30500 Peças
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USD 0
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SI3585DV-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SI3585DV-T1-GE3
Número da peça futura FT-SI3585DV-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET®
SI3585DV-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Potência - Max 830mW
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 6-TSOP
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI3585DV-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SI3585DV-T1-GE3-FT

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