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Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3

Name: SIRB40DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRB40DP-T1-GE3
Price: 0.53136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (628 reviews)

Número da peça MFG: SIRB40DP-T1-GE3

Quantidade disponível: 72710 Peças

Preço de referência: USD 0.53136

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SIRB40DP-T1-GE3.pdf

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SIRB40DP-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SIRB40DP-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SIRB40DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SIRB40DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4290pF @ 20V
Potência - Max	46.2W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® SO-8 Dual
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIRB40DP-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SIRB40DP-T1-GE3-FT

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