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Vishay Siliconix SI2366DS-T1-GE3

Número da peça MFG
SI2366DS-T1-GE3
Quantidade disponível
16100 Peças
Preço de referência
USD 0.1444
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SI2366DS-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SI2366DS-T1-GE3
Número da peça futura FT-SI2366DS-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET®
SI2366DS-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 5.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 335pF @ 15V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2366DS-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SI2366DS-T1-GE3-FT

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