casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI2366DS-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI2366DS-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI2366DS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI2366DS-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 335pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2366DS-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI2366DS-T1-GE3-FT |
BSS159NL6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS169 E6327
Infineon Technologies
BSS169 E6906
Infineon Technologies
BSS169H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS169H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS169L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS205NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel