casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS169 E6327
Número da peça de fabricante | BSS169 E6327 |
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Número da peça futura | FT-BSS169 E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSS169 E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V |
Recurso FET | Depletion Mode |
Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS169 E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS169 E6327-FT |
SI2371EDS-T1-GE3
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SSM3J353F,LF
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SI2304DDS-T1-GE3
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SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2347DS-T1-GE3
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
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10AX016C3U19I2LG
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