casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI2351DS-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI2351DS-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI2351DS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI2351DS-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta), 2.1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2351DS-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI2351DS-T1-GE3-FT |
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS159NL6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS169 E6327
Infineon Technologies
BSS169 E6906
Infineon Technologies
BSS169H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS169H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS169L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS205NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel