casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI2351DS-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI2351DS-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI2351DS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI2351DS-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta), 2.1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2351DS-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI2351DS-T1-GE3-FT |
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS159NL6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS169 E6327
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BSS169 E6906
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BSS169H6327XTSA1
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BSS169H6906XTSA1
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BSS169L6327HTSA1
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BSS169L6906HTSA1
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BSS205NL6327HTSA1
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BSS214NL6327HTSA1
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A54SX16A-2TQ144I
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XC3S400-4FG320I
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XC6VLX195T-2FFG784I
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