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Vishay Siliconix SI2309DS-T1-E3

Name: SI2309DS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2309DS-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 4.7 (57 reviews)

Número da peça MFG: SI2309DS-T1-E3

Quantidade disponível: 89310 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SI2309DS-T1-E3.pdf

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SI2309DS-T1-E3 Especificações

Número da peça de fabricante	SI2309DS-T1-E3
Número da peça futura	FT-SI2309DS-T1-E3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SI2309DS-T1-E3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.25W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2309DS-T1-E3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SI2309DS-T1-E3-FT

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