casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1413EDH-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1413EDH-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1413EDH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1413EDH-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 100µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1413EDH-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1413EDH-T1-E3-FT |
PSMN4R3-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMT4005SCT
Diodes Incorporated
TK12E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
DMNH10H028SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCTQ
Diodes Incorporated
DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
DMG9N65CT
Diodes Incorporated
DMTH6010SCT
Diodes Incorporated
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel