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TK12E80W,S1X Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X

Número da peça MFG
TK12E80W,S1X
Quantidade disponível
37750 Peças
Preço de referência
USD 2.64
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
DTMOSIV MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TK12E80W,S1X.pdf
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TK12E80W,S1X Especificações

Número da peça de fabricante TK12E80W,S1X
Número da peça futura FT-TK12E80W,S1X
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series DTMOSIV
TK12E80W,S1X Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 11.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 570µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 300V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 165W (Tc)
Temperatura de operação 150°C
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK12E80W,S1X Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TK12E80W,S1X-FT

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